[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 200510099526.0 | 申请日： | 2005-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1750285A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 村上哲朗;渡边信幸 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种发光二极管，其具备p型AlGaInP有源层(15)、透明电极用p型GaAs接触层(17)和ITO透明电极(110)。该p型GaAs接触层(17)的载流子浓度设定为是1.0×1019cm－3。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管，其特征在于，其包括：由AlGaInP构成发光层、由氧化铟锡构成的透明电极和用于所述透明电极的接触层，所述接触层的载流子浓度是大于或等于1.0×1019cm-3，且小于或等于5.0×1019cm-3。
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