[发明专利]磁存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200510098774.3 | 申请日： | 2005-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN1758371A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 古贺启治 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L27/105;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可降低强磁性材料扩散到半导体区域内的磁存储器。磁存储器1具有由m行n列(m、n是2以上的整数)构成的二次元状排列的多个存储区域3。再者，磁存储器1具有：含有写入晶体管32的漏极区域32a和源极区域32c的半导体层6；含有TMR元件4和写入配线31的磁性材料层8；和，夹在半导体层6与磁性材料层8之间且含有位配线13a、13b以及字配线14的配线层7。这样，通过将配线层7夹在磁性材料层8与半导体层6之间，则从TMR元件4扩散(迁移(migration))的强磁性材料难以到达半导体层6，所以可降低强磁性材料扩散到漏极区域32a和源极区域32c内。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器，其特征在于，具有m为2以上的整数、n为2以上的整数且由m行n列构成的二次元状排列的多个存储区域，各个所述存储区域具有：磁性材料层；半导体层；和设置在所述磁性材料层与所述半导体层之间的配线层，各个所述存储区域中的所述磁性材料层具有：含有磁化方向因外部磁场而发生变化的感磁层的磁阻效应元件；通过写入电流向所述感磁层提供所述外部磁场的写入配线，各个所述存储区域中的所述半导体层具有：构成控制所述写入配线中的所述写入电流的导通的半导体写入开关单元的半导体区域，各个所述存储区域中的所述配线层包括：电连接到所述写入配线的第一配线；和电连接到所述半导体写入开关单元的控制端子的第二配线。
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