[发明专利]薄基片支持器无效
申请号: | 200510098329.7 | 申请日: | 2005-09-07 |
公开(公告)号: | CN1747145A | 公开(公告)日: | 2006-03-15 |
发明(设计)人: | 米歇尔·皮埃什;格扎维埃·吉尚拉 | 申请(专利权)人: | 阿尔卡特公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 酆迅 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 用于支持半导体基片的设备包括附着到包括冷却系统和电连接装置的处理室上的样品架。该设备进一步包括通过静电方式或者夹子固定到样品架并且与样品架电连接和热连接的中间部件。中间部件是可拆装的,其具有足够的硬度以允许对其支持的减薄的基片进行操作并且其包括基座,该基座包括具有比基片高的导电率的第一材料。覆盖该基底的第一层包括具有高介电强度的第二材料。将第一和第二电极设置在第一层上。覆盖第一层和电极的第二层包括具有高介电强度的第三材料。 | ||
搜索关键词: | 薄基片 支持 | ||
【主权项】:
1.用于支持半导体基片的设备,所述设备包括:样品架,附着到包括冷却系统以及电连接装置的处理室,其中所述设备进一步包括中间部件,其由静电方式或者借助于夹子固定到所述样品架并且与所述样品架建立电连接和热连接,所述中间部件是可拆装的,具有足够的硬度以允许对其支持的减薄的基片进行的操作,并且包括:-包括具有比所述基片更高导电率的第一材料的基座,-覆盖所述基座的第一层,其包括具有高介电强度的第二材料,-设置在所述第一层的第一电极和第二电极,以及-覆盖所述第一层和所述电极的第二层,其包括具有高介电强度的第三材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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