[发明专利]立体多栅极元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510097896.0 | 申请日： | 2005-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1925118A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 廖文翔;萧维沧 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种立体多栅极元件以及其制造方法。立体多栅极元件包括一鳍状硅、一栅极结构以及一应力调整层。栅极结构与鳍状硅的两侧面接触形成立体多栅极结构，而应力调整层则覆盖于此栅极结构上，以提供栅极结构沿着与沟道长度方向平行的应力。此应力可提高栅极结构下方沟道区域的电子迁移率，有效改善立体多栅极元件的驱动电流特性。 | ||
| 搜索关键词： | 立体 栅极 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作立体多栅极元件的方法，该方法包括以下步骤：(a)提供一半导体衬底，并于该半导体衬底上形成一鳍状硅，该鳍状硅具有一上表面及两侧面；(b)于该鳍状硅上形成一栅极结构，该栅极结构覆盖该鳍状硅的部分该上表面及部分该两侧面；(c)于位于该栅极结构两侧且未被该栅极结构覆盖的该鳍状硅中形成两掺杂区域；以及(d)形成一应力调整层覆盖该栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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