[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200510097490.2 | 申请日： | 2005-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1819143A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 金麟洙 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种CMOS图像传感器的制造方法，在焊盘上形成氮化硅(SiN)层。微透镜，根据期望的透镜组装密度具有最小高度和覆盖区，由沉积在氮化硅上的氧化膜和氮化膜制成。因为透镜具有低高度，透镜的折射率可以被改进。可以在主透镜弯曲部分的下面额外地形成侧壁隔离物型内透镜，以有助于克服由单一透镜结构引起的问题。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括：形成金属线图样；在所述金属线图样上形成焊盘膜；在所述焊盘膜上形成钝化膜；通过使用光刻胶掩模蚀刻所述钝化膜来形成凹槽，用于形成具有期望形状的微透镜；在所述已蚀刻的钝化膜上顺序地沉积高密度等离子氧化膜和O3四乙基正硅酸酯膜；以及深蚀刻所述高密度等离子氧化膜和所述O3四乙基正硅酸酯膜，以在所述已蚀刻的钝化膜的表面上形成主透镜弯曲部分，并在所述已蚀刻的钝化膜的所述凹槽的内侧壁处形成侧壁隔离物型透镜，从而形成双透镜结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
