[发明专利]修改制作电路的方法无效
申请号: | 200510097138.9 | 申请日: | 2005-12-30 |
公开(公告)号: | CN1992196A | 公开(公告)日: | 2007-07-04 |
发明(设计)人: | 余维斌;廖永顺;廖兴盛 | 申请(专利权)人: | 宜特科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 党晓林 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明有关于一种修改制作电路的方法,主要是于基材〔例如:集成电路〕上选择欲相连接的数个目标电极,运用聚焦离子束〔Focused ionbeam;FIB〕或激光将目标电极上各种半导体制程使用的材料〔如:导电层、半导体层、绝缘层等〕去除,形成接触孔洞,露出目标电极,再利用聚焦离子束或激光伴随化学气相沉积〔deposition〕的方式于接触孔洞中形成导电桥墩〔pier〕,再放置导电黏稠材料于各导电桥墩之上,以能于各导电桥墩之间利用该导电黏稠材料连接导电桥面〔floor of a bridge;如:以导电黏稠材料直接形成该导电桥面、或金属线、或电子元件等任何导电物体〕,既可获得低电阻的导电桥面,或可以增加电子元件于既有电路中,以进行修改制作电路的方法。 | ||
搜索关键词: | 修改 制作 电路 方法 | ||
【主权项】:
1.一种修改制作电路的方法,包括:(a)提供一基材,该基材内包含有复数个电极;(b)选取欲连接的数电极;(c)于该基材上通过聚焦离子束对应所选取的电极挖开半导体制程各层材料形成接触孔洞以露出该电极;(d)通过该聚焦离子束配合喷嘴所喷出的各种气体分子以沉积各种材质填入该接触孔洞而形成导电桥墩;其特征在于:(e)放置导电黏稠材料于各导电桥墩之上,以利用该导电黏稠材料于导电桥墩之间连接导电桥面,即形成导通的导电桥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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