[发明专利]平坦化填隙材料的装置及方法无效
申请号: | 200510093039.3 | 申请日: | 2005-08-25 |
公开(公告)号: | CN1838399A | 公开(公告)日: | 2006-09-27 |
发明(设计)人: | 陈桂顺;林进祥;林宗宪;林嘉祥 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/321;H01L21/302 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种平坦化填隙材料的装置及方法,具体涉及一种平坦化基底上填隙材料的装置及方法。上述装置包括一支撑座用以承载该基底,一平板对向设置于该支撑座以及一控制器以控制该平板相对于该支撑座的运动。该平板具有一实质上平坦的表面,且该平板施予一作用力于该基底上,借此使基底上的填隙材料亦具有实质上平坦的表面。本发明通过平坦化装置将基底上的填隙材料平坦化。由于平坦化装置的平板具有实质上平坦的表面,在平板施加作用力于基底上的填隙材料之后,使基底上的填隙材料亦具有实质上平坦的表面。通过平坦化填隙材料可使后续沟槽的微影蚀刻制程精确且容易进行,以降低制造成本及提升制程裕度。 | ||
搜索关键词: | 平坦 填隙 材料 装置 方法 | ||
【主权项】:
1、一种平坦化填隙材料的装置,所述平坦化填隙材料的装置包括:一支撑座用以承载该基底;一平板设置对向于该支撑座,该平板具有一实质上平坦的表面;以及一控制器以控制该平板相对于该支撑座的运动,使该平板施以一作用力于该基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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