[发明专利]形成氧化薄膜的方法、氧化薄膜、部件和电子设备有效
申请号: | 200510092196.2 | 申请日: | 2005-08-25 |
公开(公告)号: | CN1750240A | 公开(公告)日: | 2006-03-22 |
发明(设计)人: | 桥幸弘 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L21/316 | 分类号: | H01L21/316;C23C18/00;H01B5/14 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王玮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种在由无机材料构成的基材12的表面上形成氧化薄膜3的方法。氧化薄膜3是由包含无机材料的氧化物作为其主要成分的材料而形成的。该方法包括以下步骤:制备基材12;向基材12表面上供给包含醇的处理液体,以在其上形成处理液体的液体薄膜2;通过无机材料与在液体薄膜2中的醇反应生成无机材料的氧化物;去除保留在液体薄膜2中的处理液体,以在基材12的表面上形成氧化薄膜3。此外,本发明公开了上述的氧化薄膜3、包括氧化薄膜3的部件、包括该部件的电子设备。 | ||
搜索关键词: | 形成 氧化 薄膜 方法 部件 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种在由无机材料构成的基材的表面上形成氧化薄膜的方法,所述氧化薄膜是由包含无机材料的氧化物作为其主要成分的材料构成的,该方法包括以下步骤:制备基材;向基材表面上供给包含醇的处理液体,以在其上形成处理液体的液体薄膜;通过无机材料与液体薄膜中的醇反应生成无机材料的氧化物;和去除保留在液体薄膜中的处理液体,以在基材的表面上形成氧化薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510092196.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造