[发明专利]包括有机半导体层的场效应晶体管有效

专利信息
申请号: 200510092161.9 申请日: 2005-08-22
公开(公告)号: CN1744342A 公开(公告)日: 2006-03-08
发明(设计)人: 戴维·拉塞尔;克里斯托夫·纽瑟姆;托马斯·库格勒;李顺普 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王玮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供了一种场效应晶体管(10),其包括金属或碳的源极(14)和功能有机半导体层(28)。注入材料的柱状物(48)延伸通过功能有机半导体层(28),柱状物与源极(14)和功能有机半导体层(28)同时接触。所述柱状物(48)促进了载流子在源极(14)和半导体层(28)之间的迁移。优选地,注入材料是有机化合物,例如聚-3-己基噻吩、聚芳基胺、聚(3,4-亚乙基二氯基噻吩)-聚苯乙烯硫酸或聚苯胺。
搜索关键词: 包括 有机半导体 场效应 晶体管
【主权项】:
1、一种场效应晶体管,包括金属或碳的源极、功能有机半导体层和延伸通过功能有机半导体的注入材料的柱状物,所述柱状物与源极和功能有机半导体同时接触,利于其之间载流子的迁移。
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