[发明专利]静态随机存取存储器及其操作方法无效
| 申请号： | 200510092052.7 | 申请日： | 2005-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1917085A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王志森;黄小临 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种静态随机存取存储器，至少包括第一存取晶体管及第二存取晶体管、第一反相器以及第二反相器。第一存取晶体管至少是包括底介电层、电荷阻挡层、顶介电层与栅极。第一存取晶体管中的电荷阻挡层可以存储静态随机存取存储器中的数据，使数据不会因电源的中断而消失。第一反相器响应于第二存取晶体管的操作而选择性启动，第二反相器响应于第一存取晶体管的操作而选择性启动。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存取存储器，包括：一第一存取晶体管及一第二存取晶体管，该第一存取晶体管由衬底起依序至少包括一底介电层、一电荷阻挡层、一顶介电层，以及一栅极，该第一存取晶体管中的该电荷阻挡层可以存储该静态随机存取存储器中的数据，使数据不会因电源提供的中断而消失；一第一反相器，该第一反相器响应于该第二存取晶体管的操作而选择性启动；以及一第二反相器，该第二反相器响应于该第一存取晶体管的操作而选择性启动。
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