[发明专利]用于淀积具有多层结构的TiN薄膜的方法有效
| 申请号： | 200510090670.8 | 申请日： | 2005-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN1738009A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 朴永熏;李相奎;徐泰旭 | 申请（专利权）人： | 集成工艺系统株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦;葛强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种在衬底上淀积具有多层结构和不同淀积速率的金属氮化物膜的方法，该方法包括以下步骤：以第一淀积速率在衬底上形成第一下层金属氮化物膜；以第二淀积速率在第一下层金属氮化物膜上形成第二下层金属氮化物膜；以第三淀积速率在由第一下层金属氮化物膜和第二下层金属氮化物膜形成的下层TiN膜上形成具有高的氮(N)含量的上层金属氮化物膜，以提高与暴露至空气/湿气相关的稳定性。该具有多层结构的金属氮化物膜的淀积速率满足这样的关系，即，第二淀积速率≥第一淀积速率≥第三淀积速率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 多层 结构 tin 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上淀积具有多层结构和不同淀积速率的金属氮化物膜的方法，所述方法包括以下步骤：(a)以第一淀积速率在所述衬底上形成第一下层金属氮化物膜；(b)以第二淀积速率在所述第一下层金属氮化物膜上形成第二下层金属氮化物膜；以及(c)以第三淀积速率在由所述步骤(a)和(b)形成的下层TiN膜上形成具有高的氮含量的上层金属氮化物膜，以提高与暴露至空气/湿气相关的稳定性，其中，所述具有多层结构的金属氮化物膜的所述淀积速率满足这样的关系，即，所述第二淀积速率≥所述第一淀积速率≥所述第三淀积速率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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