[发明专利]用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉无效
| 申请号： | 200510090643.0 | 申请日： | 2005-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN1917311A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 李宝霞;张靖;杨华;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01L23/34;H05K7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉，其中包括：一电介质热沉基片；一微波传输线，该微波传输线制作在电介质热沉基片的上表面的一侧，该微波传输线在电介质热沉基片的上表面形成三个端点；一薄膜电阻，该薄膜电阻制作在电介质热沉基片的上表面，形成在微波传输线的端点的尾端；多条金属电极，该多条金属电极制作在电介质热沉基片的上表面的另一侧；一地电极，该地电极制作在电介质热沉基片的下表面，且将电介质热沉基片的下表面覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 吸收 调制 半导体激光器 高频 封装 | ||
【主权项】：
1.一种用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉，其特征在于，其中包括：一电介质热沉基片；一微波传输线，该微波传输线制作在电介质热沉基片的上表面的一侧，该微波传输线在电介质热沉基片的上表面形成三个端点；一薄膜电阻，该薄膜电阻制作在电介质热沉基片的上表面，形成在微波传输线的端点的尾端；多条金属电极，该多条金属电极制作在电介质热沉基片的上表面的另一侧；一地电极，该地电极制作在电介质热沉基片的下表面，且将电介质热沉基片的下表面覆盖。
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