[发明专利]脉冲产生器和脉冲产生方法有效
| 申请号： | 200510090115.5 | 申请日： | 2005-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN1913350A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 吴淑芳 | 申请（专利权）人： | 晶豪科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/353 | 分类号： | H03K3/353;H03K3/017 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种脉冲产生器，其包含一金氧互补半导体CMOS反相器(Complementary Metal Oxide Semiconductor Inverter)、一电容元件和一电阻元件，其中所述CMOS反相器包含分别连接到一电压源和一参考电压的两终端。所述电容元件和所述电阻元件并联连接到所述CMOS反相器的输入端，且所述CMOS反相器的输出端产生复数个脉冲。所述电容器由一提升信号充电并经由所述电阻元件放电到地面，从而操控所述CMOS反相器输入端的电压，即控制所述CMOS反相器内部的晶体管，借此可改变所述CMOS反相器的输出端电压。此外，脉冲的脉宽可通过所述电阻元件所接收的一控制信号来调整。本发明又揭示一脉冲产生方法，包含将一CMOS反相器的输出电压由一第一电平改变到一第二电平、释放一电容元件中的电荷和将所述CMOS反相器的输出电压由所述第二电平改变到所述第一电平。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 产生器 产生 方法 | ||
【主权项】：
1.一种脉冲产生器，其包含：一金氧互补半导体(CMOS)反相器，其特征在于包含一连接电压源的一第一端点和一连接到一第一参考电压的第二端点；一电容元件，其接收一提升信号；和一电阻元件，其接收一第二参考电压；其中所述电容元件和所述电阻元件并联连接到所述COMS反相器的输入端，且所述CMOS反相器的输出端产生复数个脉冲。
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