[发明专利]记忆体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510090108.5 | 申请日： | 2005-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN1913173A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 王嗣裕 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/105;H01L21/336;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种记忆体元件及其制造方法。该记忆体元件包括基底、第一绝缘层、电荷储存层、第二绝缘层、闸电极层与源极/汲极区。其中，基底的禁带间隙大于硅的禁带间隙。第一绝缘层是设置于基底上，电荷储存层是设置于第一绝缘层上，第二绝缘层是设置于电荷储存层上，闸电极层是设置于第二绝缘层上，其中，闸电极层、第二绝缘层、电荷储存层以及第一绝缘层构成一堆栈结构。源极/汲极区是设置于堆栈结构两侧的基底中。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种记忆体元件，其特征在于其包括：一基底，其中该基底的禁带间隙大于硅的禁带间隙；一第一绝缘层，设置于该基底上；一电荷储存层，设置于该第一绝缘层上；一第二绝缘层，设置于该电荷储存层上；一闸电极层，设置于该第二绝缘层上，其中该闸电极层、该第二绝缘层、该电荷储存层、该第一绝缘层构成一堆栈结构；以及一源极/汲极区，设置于该堆栈结构两侧的该基底中。
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