[发明专利]液体加热设备和清洗设备及方法无效
| 申请号： | 200510089920.6 | 申请日： | 2005-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN1731563A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 三由裕一;菅野恒;佐藤泰夫 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 易咏梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 将微波施加到存储在纯水容器中的纯水上，经过密封的纯水容器的顶部、其侧部以及其底部中至少一个的，由此以非接触的方式加热纯水。 | ||
| 搜索关键词： | 液体 加热 设备 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种液体加热设备，其包括：用于存储第一液体的第一贮液器；用于将第一液体供应到第一贮液器的供应通道；用于从第一贮液器排出第一液体的排液管；用于产生能够加热第一液体的微波的微波振荡器；用于将微波传递到第一贮液器并且透过第一贮液器将微波施加在第一液体上的波导管；以及用于防止微波从第一贮液器泄漏出的微波阻断器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
