[发明专利]记忆胞结构有效
| 申请号: | 200510089038.1 | 申请日: | 2005-08-03 |
| 公开(公告)号: | CN1783507A | 公开(公告)日: | 2006-06-07 |
| 发明(设计)人: | 龙翔澜 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L45/00;H01L21/70 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
| 地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明是有关于一种记忆胞,包括了具有导线的基板。而导线则具有一接触端。在基板和导线上覆盖有绝缘层。在绝缘层中配置有一孔洞,其延伸至基板。一记忆材料刚刚好配置在孔洞内,并且电性连接至导线上的接触端。一导体层是位于孔洞内,并且配置覆盖在记忆材料上。 | ||
| 搜索关键词: | 记忆 结构 | ||
【主权项】:
1、一种记忆胞结构,其特征在于其包括:一基板;一导线,配置于该基板上,且该导线具有一接触端;一绝缘层,配置覆盖于基板和该导线上;一孔洞,配置于该绝缘层内,并延伸朝向该基板;一记忆材料,是刚好配置在该孔洞内,且该记忆材料是电性连接该接触端;以及一导体层,配置在该孔洞内并覆盖该记忆材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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