[发明专利]降低浅沟绝缘化学机械抛光工艺造成的晶片伤害的方法

摘要

本发明提供一种降低浅沟绝缘化学机械抛光工艺所造成的晶片伤害的方法，首先提供一晶片，其包括集成电路晶方区域、围绕集成电路晶方区域周围的切割道及具有晶片激光刻号的激光刻号区域。接着在衬垫层上形成有源区域光致抗蚀剂图案，其具有沟渠开口以及仅暴露出激光刻号区域内的过渡区域的虚设开口，再经由沟渠开口及虚设开口蚀刻衬垫层及衬底，于集成电路晶方区域内形成绝缘浅沟，同时于激光刻号区域的过渡区域内形成虚设浅沟，然后于晶片表面沉积沟渠填充材料，并填满绝缘浅沟以及虚设浅沟，再以衬垫层为抛光停止层，进行沟渠填充材料的化学机械抛光。

主权项

1.一种降低浅沟绝缘化学机械抛光工艺造成的晶片伤害的方法，包括以下步骤：提供一晶片，其包括多个集成电路晶方区域、围绕各该集成电路晶方区域周围的切割道以及一提供有晶片批次编号以及晶片身份辨识号码的晶片激光刻号的激光刻号区域，其中该激光刻号区域设于该晶片的边缘并与该切割道相邻；于该晶片上形成一垫氧化层；于该垫氧化层上形成一垫氮化硅层；于该垫氮化硅层上形成一有源区域光致抗蚀剂图案，其中该有源区域光致抗蚀剂图案具有暴露出该集成电路晶方区域内待蚀刻至该晶片的衬底以形成绝缘浅沟的一沟渠开口，以及仅暴露出该激光刻号区域内的一过渡区域的一虚设开口；利用该有源区域光致抗蚀剂图案作为一蚀刻硬掩模，进行一干蚀刻工艺，蚀刻经由该有源区域光致抗蚀剂图案的该沟渠开口以及该虚设开口所暴露出来的该垫氮化硅层、该垫氧化层以及该衬底，以于该集成电路晶方区域内形成一绝缘浅沟，同时，于该激光刻号区域的该过渡区域内形成一虚设浅沟；去除该有源区域光致抗蚀剂图案；于该晶片表面沉积一沟渠填充材料，并填满该绝缘浅沟以及该虚设浅沟；于该沟渠填充材料上形成一掩模，其具有一开口，暴露出除了该过渡区域以外的该激光刻号区域；经由该掩模的该开口蚀刻该沟渠填充材料，藉此降低该沟渠填充材料在该晶片激光刻号上方的厚度；去除该掩模；以及利用该垫氮化硅层作为一抛光停止层，进行一化学机械抛光工艺，抛光该沟渠填充材料。