[发明专利]在闪存器件中形成浮置栅电极的方法

摘要

本发明涉及一种在闪存器件中形成浮置栅电极的方法。该方法包括：在无效区内形成绝缘膜，使得具有预定厚度的阶梯可产生于界定于半导体衬底中的有效区与无效区之间；在其中形成绝缘膜的整个表面上依次形成隧道氧化膜、用于浮置栅电极的多晶硅膜及抗反射膜；以及接着在该抗反射膜的预定区域内形成光致抗蚀剂图案。该方法还包括：使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来构图该抗反射膜以形成构图的抗反射膜，其中底表面比顶表面宽且侧壁上形成倾斜度；并使用该构图的抗反射膜作为蚀刻掩模来构图用于浮置栅电极的多晶硅膜、隧道氧化膜及预定厚度的绝缘膜，从而形成在侧壁上具有倾斜度的浮置栅电极。

主权项

1、一种在闪存器件中形成浮置栅电极的方法，包括：在无效区中形成绝缘膜，使得有效区与所述无效区之间产生具有预定厚度的阶梯，所述有效区和无效区界定于半导体衬底上；在其上形成所述绝缘膜的整个表面上依次形成隧道氧化膜、用于所述浮置栅电极的多晶硅膜及抗反射膜，且然后在所述抗反射膜的预定区域上形成光致抗蚀剂图案；使用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来构图所述抗反射膜以形成构图的抗反射膜，其中底表面比顶表面宽且在侧壁上形成倾斜度；且使用所述构图的抗反射膜作为蚀刻掩模来构图该用于所述浮置栅电极的所述多晶硅膜、所述隧道氧化膜和所述绝缘膜的预定厚度，从而形成在侧壁上具有倾斜度的所述浮置栅电极。