[发明专利]多栅晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200510084568.7 | 申请日： | 2005-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1728400A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 布伦特·A·安德森;艾德华·J·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请公开了一种包括沟道区和沟道区端部的源和漏区的多栅晶体管。在逻辑栅和沟道区之间设置栅氧化物，在浮栅和沟道区之间形成第一绝缘体。该第一绝缘体比栅氧化物厚。浮栅与其它结构电绝缘。并且，在编程栅和浮栅之间设置第二绝缘体。逻辑栅中的电压导致晶体管的导通和断开，而浮栅中的存贮电荷调节晶体管的阈值电压。晶体管可以包括翅型场效应晶体管(FinFET)，其中沟道区包括翅结构的中间部分，源和漏区包括翅结构的端部。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多栅晶体管，包括：沟道区；与所述沟道区的第一侧相邻的逻辑栅；与所述沟道区的第二侧相邻的浮栅，其中所述第一侧与所述第二侧相反；以及与所述浮栅相邻的编程栅，其中所述浮栅在所述编程栅和所述沟道区之间。
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