[发明专利]具混成应变诱导层的应变晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 200510084137.0 | 申请日： | 2005-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1825625A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 陈建豪;李资良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具混成应变(hybrid－strained)层的半导体装置，及其形成方法。此半导体装置包括：闸极介电层位在基材之上闸极介电层；闸极电极位在闸极介电层之上；一选择性的间隙壁对位于沿着闸极介电层与闸极电极的侧壁之上；实质上与闸极电极的一边缘对准的源极/汲极区域；与应变层覆盖源极/汲极区域、闸极电极与间隙壁，其中此应变层具有一第一部份与一第二部份。应变层的第一部份实质上覆盖源极/汲极区域并具有一第一本质应变。应变层的第二部份的至少一部分实质上覆盖闸极电极与间隙壁并具有与第一本质应变形式相反的一第二本质应变。 | ||
| 搜索关键词： | 混成 应变 诱导 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于该半导体装置至少包含：一闸极介电层，在一基材之上；一闸极电极，在该闸极介电层之上；二源极/汲极区域，位在该闸极电极的两侧；一第一应变层，位在该些源极/汲极区域上，第一应变层具有一第一应力；以及一第二应变层，位在该闸极电极上，第二应变层具有一第二应力，其中第二应力实质上与第一应力不同。
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