[发明专利]液晶显示器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510082746.2 | 申请日： | 2005-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1797158A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 安炳喆;林柄昊;安宰俊 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/133;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;祁建国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种液晶显示器件，包括：第一和第二基板；第一基板上的栅线；与栅线交叉以限定像素区域的数据线，其中栅线和数据线之间具有栅绝缘膜；包括栅极、源极、漏极、和用于限定源极与漏极之间的沟道的半导体层的薄膜晶体管；在第一基板上平行于栅线的公共线；在像素区域中从公共线延伸的公共电极；以及与像素区域中的公共线和公共电极相隔开、以限定在贯穿栅绝缘膜的像素孔中的像素电极，其中半导体层与包括数据线、源极和漏极的源和漏金属图案重叠，并且其中漏极从半导体层向像素电极的上部分突出，以连接到像素电极。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶显示 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种液晶显示器件，包括：第一和第二基板；所述第一基板上的栅线；与所述栅线交叉以限定像素区域的数据线，其中所述栅线和数据线之间具有栅绝缘膜；包括栅极、源极、漏极、和用于限定源极与漏极之间的沟道的半导体层的薄膜晶体管；在所述第一基板上平行于所述栅线的公共线；在所述像素区域中从公共线延伸的公共电极；以及与公共线和所述像素区域中的公共电极相隔开、以限定在贯穿所述栅绝缘膜的像素孔中的像素电极，其中所述半导体层与包括数据线、源极和漏极的源和漏金属图案重叠，并且其中所述漏极从所述半导体层向所述像素电极的上部分突出，以连接到所述像素电极。
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