[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 200510082128.8 | 申请日： | 2005-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1889279A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 杨正中;钟长祥;杜全成;詹高峰;吴仁钊 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管，包括一发光结构、一异质结(heterojunction)、一第一电极及一第二电极。发光结构具有一顶表面，第一电极及第二电极分别位于顶表面，而异质结位于发光结构中，异质结包括一第一半导体层及一第二半导体层，第一半导体层与第二半导体层为不同掺杂型，且第一半导体层具有一边界(boundary)。第一电极与第一半导体层电连接且包括至少二个连接部分。第一电极的一中心与边界的一最短水平距离为d，89μm≤d≤203μm。第二电极与第二半导体层电连接且包括一外臂(outerarm)部分，外臂部分周围地环绕(peripherally encompass)顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括：一发光结构，该发光结构具有一顶表面；一异质结于该发光结构中，该异质结包括一第一半导体层及一第二半导体层，其中该第一半导体层具有一边界，且该第一半导体层与该第二半导体层为不同掺杂型；一第一电极位于该顶表面，该第一电极与该第一半导体层电连接且包括至少二个连接部分，其中，该第一电极的一中心与该边界的一最短水平距离为d，89μm≤d≤203μm；以及一第二电极位于该顶表面，该第二电极与该第二半导体层电连接且包括一外臂部分，该外臂部分周围地环绕该顶表面。
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