[发明专利]激光辐射方法和使用其方法制造半导体装置的方法有效

专利信息
申请号: 200510081724.4 申请日: 2005-04-28
公开(公告)号: CN1725441A 公开(公告)日: 2006-01-25
发明(设计)人: 田中幸一郎;山本良明 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/20;H01L21/268;H01L21/324;B23K26/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王岳;王忠忠
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种激光辐射方法,用于即使被辐射物的厚度不均匀也能够对被辐射物进行均匀的激光辐射。在对具有不均匀厚度的被辐射物进行辐射的情况下,通过使用自动聚焦机构,可以在执行激光辐射的同时使被辐射物和透镜之间的距离保持不变,其中该透镜用于使激光束在被辐射物的表面上聚光。特别是,在用激光束对被辐射物进行辐射时,通过沿被辐射物上形成的光斑的第一方向和第二方向相对于激光束移动该被辐射物,在被辐射物沿第一和第二方向移动被辐射物之前,由自动聚焦机构控制被辐射物和透镜之间的距离。
搜索关键词: 激光 辐射 方法 使用 制造 半导体 装置
【主权项】:
1、一种激光辐射方法,包括:从第一激光振荡器中发出第一激光束;用透镜使第一激光束聚光以使第一激光束垂直入射到被辐射物的表面上,形成光斑;通过相对于第一激光束移动被辐射物,用第一激光束对该被辐射物进行辐射;其中,在被辐射物移动之前,该被辐射物与透镜之间的距离由自动聚焦机构控制。
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