[发明专利]激光辐射方法和使用其方法制造半导体装置的方法有效
申请号: | 200510081724.4 | 申请日: | 2005-04-28 |
公开(公告)号: | CN1725441A | 公开(公告)日: | 2006-01-25 |
发明(设计)人: | 田中幸一郎;山本良明 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/268;H01L21/324;B23K26/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;王忠忠 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种激光辐射方法,用于即使被辐射物的厚度不均匀也能够对被辐射物进行均匀的激光辐射。在对具有不均匀厚度的被辐射物进行辐射的情况下,通过使用自动聚焦机构,可以在执行激光辐射的同时使被辐射物和透镜之间的距离保持不变,其中该透镜用于使激光束在被辐射物的表面上聚光。特别是,在用激光束对被辐射物进行辐射时,通过沿被辐射物上形成的光斑的第一方向和第二方向相对于激光束移动该被辐射物,在被辐射物沿第一和第二方向移动被辐射物之前,由自动聚焦机构控制被辐射物和透镜之间的距离。 | ||
搜索关键词: | 激光 辐射 方法 使用 制造 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1、一种激光辐射方法,包括:从第一激光振荡器中发出第一激光束;用透镜使第一激光束聚光以使第一激光束垂直入射到被辐射物的表面上,形成光斑;通过相对于第一激光束移动被辐射物,用第一激光束对该被辐射物进行辐射;其中,在被辐射物移动之前,该被辐射物与透镜之间的距离由自动聚焦机构控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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