[发明专利]限定多晶硅图案的方法有效
| 申请号： | 200510079423.8 | 申请日： | 2005-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1885498A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 周珮玉;陈东郁 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种限定多晶硅图案的方法，其方法包括于一基底上形成一多晶硅层，以及于多晶硅层上形成一图案化的屏蔽层，接着进行一第一蚀刻工艺，蚀刻未被屏蔽层覆盖的部分多晶硅层，以于多晶硅层表面形成多个凹洞，然后进行一剥除工艺，使用不含氧(O2)的气体剥除屏蔽层，最后进行一第二蚀刻工艺，继续蚀刻部分的多晶硅层，以使多个凹洞通达至基底表面。 | ||
| 搜索关键词： | 限定 多晶 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种限定多晶硅图案的方法，该方法包括：提供一基底；于该基底上形成一多晶硅层，以及于该多晶硅层上形成一图案化的屏蔽层；进行一第一蚀刻工艺，蚀刻未被该屏蔽层覆盖的部分该多晶硅层，以于该多晶硅层表面形成多个凹洞；进行一剥除工艺，使用不含氧的气体剥除该屏蔽层；以及进行一第二蚀刻工艺，继续蚀刻部分的该多晶硅层，以使该多个凹洞通达至该基底表面。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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