[发明专利]场发射装置的电泳沉积方法无效
| 申请号： | 200510079095.1 | 申请日： | 2005-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1885475A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 张悠扬;詹立雄;何宽鑫 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;C25D13/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种场发射装置的电泳沉积方法，利用适当安排施加电压于具有栅极的三极结构，来改善传统电泳沉积方法的选择性。在栅极周围的电场排斥在电泳槽中带电荷或极化的纳米悬浮液，可避免带电荷或极化的纳米材料沉积在栅极上。因此，纳米材料可选择性地沉积在阴极。可避免阴极与栅极之间的电路短路。本发明的电泳沉积方法不需要一层遮蔽牺牲层，因此制造工艺简单且使成本降低。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 装置 电泳 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场发射装置的电泳沉积方法，包含下列步骤：(a)准备一含有纳米结构悬浮液的电泳槽；(b)准备一具有三极结构的场发射阴极板，该三极结构包含栅极，其中该场发射阴极板作为一阴极板且包含一基板、多个在该基板上的阴极、一形成在该基板与该阴极上的介电层、和多个形成在该介电层与该基板上的栅极；(c)将一阳极板与该场发射阴极板沉入该电泳槽；以及(d)将由一个或多个电源供应器提供的二个不同的偏压，分别施加至该栅极与该阴极一段时间，以选择性地使纳米结构材料沉积在该阴极的表面，该表面通过该介电层的栅孔暴露于外，其中该阳极板电路连接至该电源供应器的一共同端。
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