[发明专利]具有在抛光时促进混合尾迹的凹槽结构的抛光垫座有效

专利信息
申请号: 200510077948.8 申请日: 2005-06-15
公开(公告)号: CN1712187A 公开(公告)日: 2005-12-28
发明(设计)人: G·P·马尔多尼 申请(专利权)人: CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司
主分类号: B24B29/00 分类号: B24B29/00;B24B37/04;H01L21/304
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 郑修哲
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于抛光晶片(112,516)或其他工件的抛光垫座(104,300,400,500)。这种抛光垫座包括一个含有多个凹槽(148,152,156)(304,308,324)(404,408,424)(520,524,528)的抛光层(108),这些凹槽的取向基本上平行于晶片的一个或几个相应的速度矢量(V1-V4)(V1′-V4′)(V1″-V4″)(V1″′-V4″′)。这些平行取向在抛光时促使在这些凹槽中的抛光介质(120)形成混合尾迹。
搜索关键词: 具有 抛光 促进 混合 凹槽 结构
【主权项】:
1.一种适宜对磁性基片、光学基片和半导体基片中的至少一种基片进行抛光的抛光垫座,包括:(a)一个具有抛光区的抛光层,其抛光区由一个第一边界和一个第二边界确定,第一边界相应于抛光垫座上一个第一点的轨迹,第二边界由抛光垫座上一个第二点的轨迹限定,两个边界相互隔开;(b)至少一个第一小角度凹槽,这个凹槽至少一部分包含在紧邻第一边界的抛光区内,并在紧接第一边界的一个点相对于第一边界形成一个-40°到40°的角;(c)至少一个第二小角度凹槽,这个凹槽至少一部分包含在紧接第二边界的抛光区内,并在紧接第二边界的一个点相对于第二边界形成一个-40°到40°的角;(d)多个大角度凹槽,每一个都包含在抛光区内,并至少位于一个第一小角度凹槽和至少一个第二小角度凹槽之间,每一个大角度凹槽都相对于每一个第一边界和第二边界形成一个45°到135°的角。
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