[发明专利]避免研磨浆料残留的化学机械研磨方法及设备有效
| 申请号： | 200510075925.3 | 申请日： | 2005-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN1873925A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 邓清文;高明星;林进坤;蔡尔扬;刘丽莉 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306;B24B1/00;B24B7/22;B24B37/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 魏晓刚;李晓舒 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种CMP装置，其中该装置具有至少一设于其底座周边的喷孔，以便于将去离子水喷洒至该研磨浆料喷孔，进而避免研磨浆料结晶堵塞该喷孔。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 研磨 浆料 残留 化学 机械 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械研磨方法，该方法至少包括以下步骤：提供一化学机械研磨装置，其包括一具有一中央区域与一周边区域的底座，其中于该中央区域设有一平台，在该平台上置有一研磨垫，并在该周边区域设有至少一喷嘴；该装置还包括一设在该研磨垫上方的一供应器，该供应器上具有至少一喷孔用于将研磨浆料或去离子水喷洒在该研磨垫上；进行一研磨制作工艺，其中利用一芯片承载器承载一芯片，并使该芯片与该研磨垫接触；以及完成该研磨制作工艺后，进行一润洗制作工艺，利用该供应器将去离子水经由该喷孔喷洒在研磨垫上，同时利用该周边区域上的该喷嘴将去离子水喷洒至该供应器上的该喷孔，以避免研磨浆料结晶堵塞该喷孔。
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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