[发明专利]用于去除氧化物膜的刻蚀液及其制备方法，以及制造半导体器件的方法

摘要

提供了一种用于去除氧化物膜的含阴离子表面活性剂的刻蚀液，及其制备方法以及使用该刻蚀液制造半导体器件的方法。该刻蚀液包括氢氟酸(HF)、去离子水和阴离子表面活性剂。阴离子表面活性剂是其中添加了芳香树脂(anime)盐作为平衡离子的化合物，由R₁－OSO₃^－HA⁺、R₁－CO₂^－HA⁺、R₁－PO₄^2－(HA⁺)₂、(R₁)₂－PO₄^－HA⁺以及R₁－SO₃^－HA⁺表示，其中R₁是C₄至C₂₂的直烃基或支烃基，以及A是氨或胺。刻蚀液提供氧化物膜与氮化物膜或与多晶硅膜的高刻蚀选择率。因此，在半导体器件制造工艺如STI器件隔离工艺或电容器形成工艺中，当氧化物膜与氮化物膜或多晶硅膜一起露出时，在仅仅选择地除去氧化物膜中可以有效地使用该刻蚀液。

主权项

1.一种刻蚀液，包括：氢氟酸(HF)，去离子水；以及阴离子表面活性剂。