[发明专利]在交替相移掩模中着色局部着色的设计的系统有效
| 申请号: | 200510071825.3 | 申请日: | 2005-05-20 |
| 公开(公告)号: | CN1716090A | 公开(公告)日: | 2006-01-04 |
| 发明(设计)人: | I·格罗尔;Y·O·金;M·A·拉文;L·W·利布曼 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
| 主分类号: | G03F1/16 | 分类号: | G03F1/16;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于静;杨晓光 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 一种设计用于投影集成电路设计的图像的交替相移掩模的方法。第一和第二单元各包括第一相位的至少一个相移形式,以及第二相反相位的至少一个相移形式,第一和第二单元被并置以使相邻于各自的第一单元和第二单元的边缘的相移形式彼此相邻。如果第一和第二单元中的相邻相移形式之间的距离小于预定最小间隔,并且如果所述相邻相移形式相位相反,则反转第一和第二单元之一中的相移形式的相位,以使所述相邻相移形式的相位相同。如果第一和第二单元中的相邻相移形式彼此不接触,并且其距离大于预定最小间隔,则保持相移形式的相位。 | ||
| 搜索关键词: | 交替 相移 掩模中 着色 局部 设计 系统 | ||
【主权项】:
1.一种设计用于投影集成电路设计的图像的交替相移掩模的方法,所述方法包括以下步骤:提供第一单元,其包括第一相位的至少一个相移形式,以及与所述第一相位相反的第二相位的至少一个相移形式,其中至少一个所述相移形式与所述第一单元的边缘相邻;提供第二单元,其包括第一相位的至少一个相移形式,以及与所述第一相位相反的第二相位的至少一个相移形式,其中至少一个所述相移形式与所述第一单元的边缘相邻;沿所述第二单元的边缘并置所述第一单元的边缘,以使相邻于所述各自的第一和第二单元的边缘的相移形式彼此相邻;确定在所述第一和第二单元中的相邻相移形式之间的任何间隔;确定在所述第一和第二单元中的相邻相移形式之间的任何相位上的差异;如果所述第一和第二单元中的相邻相移形式之间的距离小于预定最小间隔,并且如果所述相邻相移形式的相位相反,则反转所述第一和第二单元之一中的相移形式的相位,以使所述相邻相移形式的相位相同;如果所述第一和第二单元中的相邻相移形式彼此不接触,并且其距离大于预定最小间隔,则保持所述相移形式的相位;以及形成用于交替相移掩模的所述第一和第二单元的单元阵列。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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