[发明专利]锂铒共掺制备近红外发光ZnO薄膜的方法无效
| 申请号： | 200510061693.6 | 申请日： | 2005-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1800299A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 朱丽萍;顾修全;叶志镇;赵炳辉 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C09K11/78 | 分类号： | C09K11/78 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的锂铒共掺制备近红外发光ZnO薄膜的方法，步骤如下：1)按ZnO∶Er2O3∶Li2CO3的摩尔比为95～98∶1～2.5∶1～2.5，取纯ZnO、Er2O3和Li2CO3粉末，球磨混合后放到硅碳棒炉中在700～900℃下预烧，加入粘结剂碾磨压制成型，烧结得陶瓷靶材；2)将靶材放到脉冲激光沉积装置的生长室中，在衬底上生长含铒的ZnO薄膜；3)含铒的ZnO薄膜在700～1500℃、氧气氛中退火。本发明以ZnO、Er2O3和Li2CO3粉末为原料，成本低廉，工艺简单。制得的锂铒共掺ZnO薄膜能有效地提高在1.5μm处的光致发光强度，不仅晶体质量好，且具有较好的表面形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 锂铒共掺 制备 红外 发光 zno 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.锂铒共掺制备近红外发光ZnO薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：1)取纯ZnO、Er2O3和Li2CO3粉末，ZnO∶Er2O3∶Li2CO3的摩尔比为95～98∶1～2.5∶1～2.5，将上述粉末经球磨充分混合后放到硅碳棒炉中在700～900℃下预烧至少1小时，然后在粉末中加入粘结剂，经碾磨后压制成型，再放入硅碳棒炉中在1200～2000℃下烧结制得陶瓷靶材；2)将靶材放到脉冲激光沉积装置的生长室中，靶材与衬底之间的距离为4～6cm，生长室抽真空至10-4Pa，衬底加热至500～750℃，以氧气为生长气氛，氧压保持0.1～10Pa，开启激光，在衬底上生长含铒的ZnO薄膜；3)将步骤2)制得的含铒的ZnO薄膜在700～1500℃、氧气氛中退火至少30min。
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