[发明专利]制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法无效
| 申请号： | 200510059189.2 | 申请日： | 2005-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1838493A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 潘教青;赵谦;王圩;朱洪亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法，包括如下步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上外延生长磷化铟缓冲层；步骤2：采用PECVD法在磷化铟缓冲层上生长二氧化硅层，光刻制备出两条形的掩模图形；步骤3：采用MOCVD法在磷化铟缓冲层上外延生长激光器结构；步骤4：在激光器结构上制备布拉格光栅；步骤5：在布拉格光栅上二次外延光限制层和接触层；步骤6：光刻，形成脊型波导；步骤7：在脊型波导的两侧及上面和激光器结构的表面生长二氧化硅层；步骤8：腐蚀掉脊型波导上面的二氧化硅层，形成电极窗口；步骤9：在器件的整个上表面溅射钛/铂/金；步骤10：背面减薄，蒸发金/锗/镍n面电极，完成器件的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 长波 长大 应变 铟镓砷 铟镓砷磷 量子 激光器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上外延生长磷化铟缓冲层；步骤2：采用PECVD法在磷化铟缓冲层上生长二氧化硅层，光刻制备出两条形的掩模图形；步骤3：采用MOCVD法在磷化铟缓冲层上外延生长激光器结构；步骤4：在激光器结构上制备布拉格光栅；步骤5：在布拉格光栅上二次外延光限制层和接触层；步骤6：光刻，形成脊型波导；步骤7：在脊型波导的两侧及上面和激光器结构的表面生长二氧化硅层；步骤8：腐蚀掉脊型波导上面的二氧化硅层，形成电极窗口；步骤9：在器件的整个上表面溅射钛/铂/金；步骤10：背面减薄，蒸发金/锗/镍n面电极，完成器件的制作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510059189.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
