[发明专利]制造半导体器件的标线片和方法有效
申请号: | 200510059080.9 | 申请日: | 2005-03-21 |
公开(公告)号: | CN1782867A | 公开(公告)日: | 2006-06-07 |
发明(设计)人: | 八重樫铁男 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;H01L21/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 制造半导体器件的标线片和方法。在抗蚀掩模上形成纵向和横向延伸的切割线以及由该切割线包围的芯片区域。在该切割线中成对地形成临界尺寸图案,同时使该切割线的中心线位于它们之间。通过从多个芯片区域中指定一个测量目标芯片区域,并且指定位于其左侧的临界尺寸图案的位置,在CD-SEM下对其中形成有这些图案的抗蚀膜的尺寸进行测量。然后,测量构成该临界尺寸图案的两个直线部分的距离,其中对从切割线的中心线观察位于测量目标芯片区域侧的测量点处的部分进行测量。 | ||
搜索关键词: | 制造 半导体器件 标线 方法 | ||
【主权项】:
1、一种标线片,其包括:电路区域,具有电路构成图案;以及包围所述电路区域设置的切割区域,该切割区域与切割线相对应,所述切割区域在其中心线内部具有临界尺寸图案。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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