[发明专利]用于检查等离子体处理系统中接触孔的方法和装置有效
| 申请号： | 200510058853.1 | 申请日： | 2005-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1684241A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 金智洙;李相现;姜世安;比内·沃斯哈姆;严必明;礼萨·萨贾迪;彼得·K·勒文哈德特 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;张英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及在等离子体处理系统中检查在基片的第一层形成的接触部的接触孔以确定该接触部是否达到设置在第一层下方的金属层的方法。该方法包括使气体混合物流入等离子体处理系统的等离子体反应器中，该气体混合物包括含氯的气体流。该方法还包括：使来自气体混合物的等离子体放电；以及将该接触部暴露于等离子体。该方法进一步包括：在暴露之后，检测金属氯化物是否存在于该接触孔中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检查 等离子体 处理 系统 接触 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种在等离子体处理系统中检查在基片的第一层形成的接触部的接触孔以确定所述接触部是否达到设置在所述第一层下方的金属层的方法，包括：使气体混合物流入所述等离子体处理系统的等离子体反应器中，所述气体混合物包括含氯的气体流；使来自所述气体混合物的等离子体放电；将所述接触部暴露于所述等离子体中；以及在所述暴露之后，检测金属氯化物是否存在于所述接触孔中。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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