[发明专利]电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法

摘要

本发明是一种电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法，包括：电子束和光学混合和匹配曝光的套准标记的设计；用电子束曝光系统制备套准标记掩模版；采用光学投影系统将掩模版上的套准标记曝光在硅片上；采用干法刻蚀将套准标记转移到硅片上；在电子束曝光系统中采用合适的修正方法查找标记等。该方法实现了电子束曝光系统和光学曝光系统的混合和匹配曝光，其套准精度优于100nm，使我们在缺乏昂贵的193nm投影光刻机的情况下，利用电子束曝光纳米尺寸的图形，而用普通的365nm光学投影光刻机曝光其它大尺寸的图形。本发明方法结合了电子束系统曝光的高分辨率和光学投影光刻机的高效率，大大提高了纳米器件和电路的研制效率。

主权项

1.一种电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法，是用光学曝光方法制备可以被电子束系统识别的用于电子束和光学混合和匹配曝光的套准标记，具有优化设计的电子束和光学混合和匹配曝光的套准标记；用电子束曝光系统制备套准标记掩模版；采用光学投影系统将掩模版上的套准标记曝光在硅片上；采用干法刻蚀将套准标记转移到硅片上；在电子束曝光系统中采用合适的修正方法查找标记等特点；其特征在于，包括下列步骤：第一步，设计电子束和光学混合和匹配曝光的套准标记；第二步，将掩模版装入电子束曝光系统的电子腔体；第三步，曝光电子束和光学混合与匹配曝光的套准的整片和子场标记；第四步，对第三步得到的掩模版进行显影、腐蚀铬和去胶处理，再用去离子水清洗干净，得到了含有整片标记和子场标记的掩模版；第五步，用显微镜观察掩模版的完整性；第六步，用线宽测量仪测量整片标记和子场标记的特征尺寸并和设计图形的特征尺寸进行比较；第七步，准备电子束和光学系统混合与匹配曝光的基片；第八步，用抗蚀剂作为阻挡层，采用干法刻蚀将套准标记转移到硅片上；第九步，将第八步得到的硅片进行去胶和清洗，涂覆电子束抗蚀剂；第十步，用严格控制温度的热板进行前烘后，自然冷却，再装入电子束腔体；第十一步，对整片标记和子场标记分别进行修正，确保电子束系统可以查找到光学投影曝光系统制备的标记后，采用电子束系统曝光检测电子束和光学系统混合与匹配曝光的套准精度的第二层图形；第十二步，将曝光后的基片用热板进行后烘，再自然冷却；第十三步，对第十二步所得基片进行显影后，得到检察电子束曝光系统和光学曝光系统的混合和匹配曝光的套准精度的图形；第十四步，将第十三步所得基片用去离子水冲洗干净，用电子显微镜测量曝光后的图形，合格后，完成制品。