[发明专利]去除基板上有机污染物的装置和方法与测量基板上薄膜厚度的装置和方法无效
申请号: | 200510054346.0 | 申请日: | 2005-03-10 |
公开(公告)号: | CN1691274A | 公开(公告)日: | 2005-11-02 |
发明(设计)人: | 中泽喜之;河野元宏;北岛敏和;矶大介 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/66 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王玉双;潘培坤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在膜厚度测量装置(1)的主体中,设置一有机污染物去除器(3),用于去除吸附到基板(9)上的有机污染物。该有机污染物去除器(3)包括一内部保持清洁的腔体(31)。在腔体(31)中设置有:一加热板(32),用于加热基板;一冷却板(33),用于冷却基板;以及一传送臂(34),用于在腔体(31)中将该基板(9)从该加热板(32)移动到该冷却板(33)。以此结构,能够使基板(9)保持在腔体(31)内的清洁环境中,从而在从去除吸附到基板(9)上的有机污染物的时刻到完成冷却的时刻的时间段期间,能够抑制有机污染物再吸附到基板上。 | ||
搜索关键词: | 去除 基板上 有机 污染物 装置 方法 测量 薄膜 厚度 | ||
【主权项】:
1、一种用于去除吸附到基板上的有机污染物的装置,包括:一加热板,用于加热基板;一冷却板,用于冷却所述基板;一传送机构,用于将基板从所述加热板移动到所述冷却板;以及一腔体,所述加热板和所述冷却板设置在所述腔体中,所述腔体包括基板从所述加热板到所述冷却板的一传送路径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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