[发明专利]一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法

摘要

本发明涉及一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法，其特点在于：1.不同于其他光－电集成器件的横向耦合结构，本器件的结构，是将化合物半导体光探测器和金属－半导体场效应晶体管纵向集成生长在同一衬底材料上。2.在器件制备过程中，将栅极下方的砷化铟量子点有源区台面与源、漏电极区隔断开，使量子点层下方的调制掺杂导电沟道与源、漏电极连通，构成场效应器件的导电回路。本发明提出了一种纵向结构上将光探测器和金属－半导体场效应晶体管集成在一起的器件结构及制备方法，实现了光器件和电学器件的有效集成，结构简单，制备工艺简便有效，是光－电集成器件光探测器组件部分的一种更好的实现方法。

主权项

1.一种包含量子点的光探测场效应晶体管，其特征在于，为纵向多层结构：在衬底上表面顺序生长一层缓冲层，缓冲层上表面生长调制掺杂结构层，结构层上表面生长一层势垒层，再生长一层包含自组织量子点的有源层以及一层覆盖层，最后在覆盖层上生长高掺杂的欧姆接触层；在样品材料表面制备场效应晶体管结构，源区和漏区位于包含量子点的有源区台面两侧，并与有源区隔断；有源区表面制备栅电极，源区上表面制备源电极，漏区上表面制备漏电极。