[发明专利]新型光敏电阻及其制备方法有效
申请号: | 200510048590.6 | 申请日: | 2005-11-12 |
公开(公告)号: | CN1767218A | 公开(公告)日: | 2006-05-03 |
发明(设计)人: | 丁镇赓;邢志平 | 申请(专利权)人: | 南阳利达光电有限公司电子公司 |
主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L31/18 |
代理公司: | 南阳市智博维创专利事务所 | 代理人: | 王帆 |
地址: | 473000*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明为光敏电阻技术领域提供一种新型光敏电阻及其制备方法,其主要特征是具有Al2O3陶瓷基座和Al2O3陶瓷基片,在Al2O3陶瓷基片上喷涂有CdS和CdSe,形成光敏膜层,制成光敏电阻芯片;在Al2O3陶瓷基座上设有空槽,光敏电阻芯片镶嵌在Al2O3陶瓷基座上的空槽内,真空镀膜形成电极,用导电银浆对芯片和基座及引线进行连接。由于本发明采取了上述技术方案,通过本发明制备的光敏电阻不仅大量节约原材料CdS和CdSe,降低产品成本,而且方法简单,可操作性强,新制成的产品具有稳定性好,一致性好,环保可靠等特点,完全符合欧盟ROHS标准对产品中Cd含量的要求。 | ||
搜索关键词: | 新型 光敏 电阻 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、新型光敏电阻,其特征在于具有Al2O3陶瓷基座和Al2O3陶瓷基片,在Al2O3陶瓷基片上涂附有CdS和CdSe混合物,高温烧结形成光敏膜层,制成光敏电阻芯片;在Al2O3陶瓷基座上设有空槽,光敏电阻芯片镶嵌在Al2O3陶瓷基座上的空槽内,真空镀膜Sn形成电极,用导电银浆对芯片和基座及引线进行连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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