[发明专利]非周期性电容加载的移相器无效
| 申请号： | 200510028313.9 | 申请日： | 2005-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1728448A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 朱守正;贺联星;周颖娟;张伟伟;廖斌 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学;上海联能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01P9/00 | 分类号： | H01P9/00;H01Q3/30 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程宗德;石昭 |
| 地址： | 200062*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种非周期性电容加载的移相器，在传统的周期性电容加载的移相器的基础上，将加载电容以非周期性方式加载在微波传输线上：电容量不相同的加载电容均匀地排列在微波传输线的中心信号线上；电容量相同的加载电容不均匀地排列在微波传输线的中心信号线上或电容量不相同的加载电容不均匀地排列在微波传输线的中心信号线上。所述的加载电容为BST压控电容或MEMS压控电容。该移相器有以下优点：该移相器中的任何一个加载电容的电容量均为优化值，使该移相器能与接在其输入端和输出端上的微波电路较好地阻抗匹配；使微波信号经该移相器传输时反射小，插入损耗低，可控相移量大。 | ||
| 搜索关键词： | 周期性 电容 加载 移相器 | ||
【主权项】：
1、一种非周期性电容加载的移相器，由基片(20)和微波传输线(40)组成，基片(20)的构成材料是诸如蓝宝石、高阻硅、多孔硅、红宝石或高频陶瓷之类的低损耗介质，微波传输线(40)构筑在基片(20)上，微波传输线(40)是共面波导传输线，即CPW传输线、共面带状线或微带线，微波传输线(40)包括中心信号线(7)、加载电容(2)、第一接地线(3)、第二接地线(5)、输入端(1)和输出端(4)，中心信号线(7)位于第一接地线(3)和第二接地线(5)之间，中心信号线(7)的两端分别是输入端(1)和输出端(4)，加载电容(2)为压控电容，加载电容(2)排列在中心信号线(7)与第一接地线(3)、第二接地线(5)之间，其特征在于，n个电容量不相同的加载电容(2)均匀地排列在中心信号线(7)与第一接地线(3)、第二接地线(5)之间，加载电容(2)与中心信号线(7)之间由导线(6)连接，n个加载电容(2)中的任何一个相对于其在中心信号线(7)上的加载位置而言，其电容量为优化值：所述的移相器工作时，由任何一个电容量为优化值和位于中心信号线(7)上各自相应的加载位置的加载电容(2)引起的反射最小，n为8～100。
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