[发明专利]一种减小写操作电流的相变存储器单元的制备方法无效
| 申请号： | 200510028245.6 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1773743A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 吕杭炳;林殷茵;汤庭鳌;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;硅存储技术公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体为一种能够减小写操作电流的相变存储器的制备方法。它通过控制相变材料自身厚度来减小电极面积，同时实现热限制和电限制，提高热量的利用率和增大电流密度。利用本发明制备的器件具有低功耗、高速度、小操作电流等特点，极大的提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 操作 电流 相变 存储器 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于减小写操作电流的相变存储器单元的制备方法，其特征在于通过控制相变材料自身厚度来减小电极面积，其步骤是：在基片衬底上淀积电极材料，然后在电极材料层上形成有孔洞介质层；在介质层的孔洞中淀积相变材料或含相变材料的复合层；最后淀积电极材料层。
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