[发明专利]薄化硅片方法无效
| 申请号： | 200510025999.6 | 申请日： | 2005-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1866473A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 蔡南雄 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄化硅片方法，它是在硅片的二表面分别形成表面结合胶及表面保护胶，其中形成表面保护胶之前施以薄化处理，待表面结合胶及表面保护胶经过烘烤干燥则切割硅片，最后将溶解度较低的表面保护胶溶解而得成品，必要时进行挑选以维护品质。本发明的薄化硅片方法可适用于极浅薄的硅片，进而达到节省生产成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄化硅片方法，它是用以薄化切削成型的片状硅片的工艺，包括以下步骤：在一硅片的一表面形成一层表面结合胶；研磨薄化该硅片的另一表面，再在该另一表面形成一层表面保护胶；烘烤该硅片；将该硅片裁切为多个芯片；溶解该表面结合胶；以及挑选成品并处理另一片硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
