[发明专利]电控体全息的制备方法无效
| 申请号： | 200510023204.8 | 申请日： | 2005-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1645169A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 奚庆新;刘立人;刘德安;栾竹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G02B27/00;G11C13/04 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电控体全息的制备方法，其特征在于包括下列步骤：①获得确定光轴方向的铌酸锂单晶；②将参考光与信息光在铌酸锂单晶内部相互干涉，形成带有信息光信息的相干图样；③利用紫外激光透过率较高的高压电极在铌酸锂单晶的+C面加正脉冲高压，－C面接地，通过控制外加电场大小，使之大于明亮区域矫顽场，小于暗区域矫顽场，以实现明亮区域的畴反转而暗区域的畴不反转。本发明利用电压调节可以控制再现信息的强度，衍射效率接近100％。在使用过程中体全息记录不会被均匀光破坏，是一种永久性全息记录，可广泛应用于光存储、光通信、光计算等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 电控体 全息 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电控体全息的制备方法，其特征在于包括下列步骤：①获得确定光轴方向(6)的铌酸锂单晶(4)；②将参考光(1)与信息光(2)在铌酸锂单晶(4)内部相互干涉，形成带有信息光(2)信息的相干图样；③利用紫外激光透过率较高的高压电极在铌酸锂单晶(4)的+C面加正脉冲高压(3)，-C面接地，通过控制外加电场大小，使之大于明亮区域矫顽场，小于暗区域矫顽场，以实现明亮区域的畴反转而暗区域的畴不反转。
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