[发明专利]区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的制备方法有效
申请号: | 200510015280.4 | 申请日: | 2005-09-29 |
公开(公告)号: | CN1763266A | 公开(公告)日: | 2006-04-26 |
发明(设计)人: | 沈浩平;高树良;刘为钢;王聚安;高福林;张焕新;宁燕;赵宏波;李颖辉;牛建军 | 申请(专利权)人: | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
主分类号: | C30B15/04 | 分类号: | C30B15/04;C30B31/06;C30B29/06 |
代理公司: | 天津中环专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王凤英 |
地址: | 300161天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种硅单晶的制备方法,特别涉及一种用于生产太阳能硅电池的区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的制备方法。该方法包括设置掺杂气体设定值:首先在拉晶控制屏上打开“掺杂”界面,然后进行流量和压力调整即设定氩气,掺杂气、入炉及放空四项的设定值;拉细颈:在抽空充气过程中,调整炉膛压力;开掺杂气体:打开“掺杂”界面,将“氩气、掺杂气、入炉关闭”三项变成“氩气、掺杂气、入炉打开”。扩肩、充入氮气:当单晶的直径扩肩到Φ110mm~130mm时,立即调整阳极电压,同时还要设定下轴向下的运动速度及转动速度,此时,开始充入氮气;收尾、停炉、停掺杂气体:打开“掺杂”界面,将“氩气、掺杂气、入炉打开”三项变成“氩气、掺杂、入炉关闭”。采用该方法生产的硅单晶满足了国内外市场对低成本,高效率的太阳能硅单晶的需求。 | ||
搜索关键词: | 区熔气相 掺杂 太阳能电池 硅单晶 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的制备方法,其特征在于该方法包括以下步骤:设置掺杂气体设定值:首先在拉晶控制屏上打开“掺杂”界面,然后进行流量和压力调整即设定氩气流量、掺杂气流量、入炉流量及放空压力四项的设定值;拉细颈:在抽空充气过程中,调整炉膛压力;开掺杂气体:在细颈拉制完成之后,打开“掺杂”界面,将“氩气关闭、掺杂气关闭、入炉关闭”三项变成“氩气打开、掺杂气打开、入炉打开”;扩肩、充入氮气:当单晶的直径扩肩到Ф110mm~130mm时,立即调整单晶炉的阳极电压,同时还要设定单晶炉编码器控制下轴向下的运动速度及转动速度,此时,开始充入氮气;收尾、停炉、停掺杂气体:当单晶收尾后,停止掺杂气体的充入,打开“掺杂”界面,将“氩气打开、掺杂气打开、入炉打开”三项变成“氩气关闭、掺杂气关闭、入炉关闭”,完成掺杂气体的关闭之后,重新回到单晶拉制的准备工作中,去进行下一颗单晶的拉制。
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