[发明专利]带前均衡电路的CMOS光电集成接收机无效
申请号: | 200510015149.8 | 申请日: | 2005-09-21 |
公开(公告)号: | CN1741278A | 公开(公告)日: | 2006-03-01 |
发明(设计)人: | 毛陆虹;余长亮 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H04B10/06 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人: | 江镇华 |
地址: | 300072天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种带前均衡电路的CMOS光电集成接收机,包括:光电转换器件,前均衡电路和前置放大器。均衡电路包括阻尼电阻(R1)、谐振电感(L1)和光电探测器的结电容及前置放大器的输入电容,由阻尼电阻(R1)和谐振电感(L1)构成的串联电路接在前置放大器的输入端与接地端之间。阻尼电阻(R1)和谐振电感(L1)构成的串联电路与所述硅光电探测器的结电容和前置放大器的输入电容相互并联构成一个并联谐振电路,本发明的光电集成接收机具有高速、高灵敏度、高带宽且与CMOS工艺兼容的特点。 | ||
搜索关键词: | 均衡 电路 cmos 光电 集成 接收机 | ||
【主权项】:
1、一种带前均衡电路的CMOS光电集成接收机,包括:一个光电转换器件,其作用是将接收到的光信号转换成电流信号;一个前均衡电路,其作用是对光电探测器输出的电流信号进行频率补偿,提高接收机的带宽;一个将前均衡电路输出的电流信号转换为数字电路所需要的电压信号的高阻抗的前置放大器,其作用是提高接收机的灵敏度;其特征在于:所述光电转换器件是一硅光电探测器,其与标准的CMOS工艺完全兼容,该硅光电探测器的正极接前置放大器的输入端,负极接高电平;所述前均衡电路是一种与CMOS工艺兼容的电路,包括阻尼电阻(R1)、谐振电感(L1)和光电探测器的结电容及前置放大器的输入电容,由阻尼电阻(R1)和谐振电感(L1)构成的串联电路接在前置放大器的输入端与接地端之间,阻尼电阻(R1)用于调整低频输出电压的幅值;谐振电感(L1)用于调整谐振频率;上述的串联电路与所述硅光电探测器的结电容和前置放大器的输入电容相互并联构成并联谐振电路;所述前置放大器是一种CMOS高阻放大器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的