[发明专利]压阻式大过载加速度计及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200510012252.7 申请日: 2005-07-26
公开(公告)号: CN1740796A 公开(公告)日: 2006-03-01
发明(设计)人: 张威;石进杰;郝一龙;李婷;张大成;王阳元 申请(专利权)人: 北京青岛元芯微系统科技有限责任公司
主分类号: G01P15/12 分类号: G01P15/12
代理公司: 北京君尚知识产权代理事务所 代理人: 俞达成
地址: 100871北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种采用Si基MEMS技术加工的压阻式大过载加速度计,本发明利用Si材料的压阻效应,当所受应力发生改变时其体电阻也随之改变,通过在Si表面离子注入形成压电电阻,并将电阻连接成惠斯通电桥的形式,并将压阻下面的区域挖空形成一个薄膜,当有外界冲击时,薄膜在惯性作用下发生形变,从而使电桥的一对电阻变大,一对电阻变小,从而电桥输出发生改变,从而实现了从机械冲击信号到电信号的转变,输出信号经放大和温度补偿之后就可以用来标定加速度的大小。本发明的压阻式大过载加速度计灵敏度较高,加工工艺与集成电路工艺兼容,易于实现;采用压阻工作信号处理电路简单;便于设计抗高过载结构。
搜索关键词: 压阻式大 过载 加速度计 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种压阻式大过载加速度计,具体包括以下结构:敏感质量块,用于在加速度计经受到敏感方向的冲击时,使其相对于硅衬底产生位移变形;四个横梁,用来作为质量块的支撑臂,和压阻的制备区域;压电电阻,分别位于四个横梁和边框交界的地方;金属连线,用于将四个压阻电连接在一起;边框,用来安装整个加速度计,质量块通过四个横梁连接到边框上。
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