[发明专利]采用氧化硅填充－回刻的交叉阵列结构有机器件制备方法

摘要

一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，其工艺步骤如下： 1.在基片表面上淀积氮化硅薄膜；2.在氮化硅薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到电极图形；3.利用抗蚀剂掩蔽刻蚀氮化硅薄膜；4.蒸发、剥离金属得到交叉线下电极；5.淀积氧化硅以填充氮化硅沟槽；6.刻蚀氧化硅至氮化硅薄膜表面；7.旋涂抗蚀剂，光刻得到上电极图形；8、蒸发、剥离金属得到上电极；9.去除上下电极之间残留的氧化硅；10.液相法生长有机分子材料；11.刻蚀，完成交叉线有机分子器件的制备。

主权项

1、一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，其结构的形成是由两次光刻、两次等离子体刻蚀获得的交叉线阵列结构，再在此基础上生长有机材料，然后等离子体干法刻蚀，获得交叉线有机分子器件；其特征在于，其步骤如下：步骤1、在基片表面上淀积氮化硅薄膜；步骤2、在氮化硅薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到电极图形；步骤3、利用抗蚀剂掩蔽刻蚀氮化硅薄膜；步骤4、蒸发、剥离金属得到交叉线下电极；步骤5、淀积氧化硅以填充氮化硅沟槽；步骤6、刻蚀氧化硅至氮化硅薄膜表面；步骤7、旋涂抗蚀剂，光刻得到上电极图形；步骤8、蒸发、剥离金属得到上电极；步骤9、去除上下电极之间残留的氧化硅；步骤10、液相法生长有机分子材料；步骤11、刻蚀，完成交叉线有机分子器件的制备。