[发明专利]一种热解氮化硼坩埚表层镀膜方法及装置有效
| 申请号： | 200510012052.1 | 申请日： | 2005-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1888126A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 高永亮;惠峰;王文军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/24;C30B15/00;F27B14/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，特别是LEC法生长体单晶的准备工艺中PBN坩埚表层镀膜方法及装置。装置包括：装挥发性材料的容器；一套加热系统和温控设备；一套支撑系统；一座封闭炉室和真空设备，提供挥发空间。方法包括：在传统处理工艺基础上，通过加热系统和温控设备控制升温、恒温、降温，将高含水B2O3脱水并使其挥发，扩散至处于低温端的PBN坩埚的表层，形成B2O3薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 坩埚 表层 镀膜 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种PBN坩埚的表层镀膜装置，其特征在于，其中包括：装挥发性材料的容器，位于封闭炉室中心，采用耐高温材料，并与挥发性材料不反应，挥发性材料可在PBN坩埚表面形成薄膜，并且不影响体单晶质量；PBN坩埚在支撑系统上，位于封闭炉室的顶部，一套加热系统和温控设备，加热升温，使挥发材料扩散至PBN坩埚表层沉积；加热系统在封闭炉室的四周，一套支撑系统，对PBN坩埚起支撑作用，要求耐高温；一座封闭炉室和真空设备，提供挥发空间。
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