[发明专利]硅和硅锗量子点阵列的制备方法有效
| 申请号： | 200510011796.1 | 申请日： | 2005-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1725438A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 黄智鹏;吴茵;朱静 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L33/00;H01S5/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 硅和硅锗量子点阵列的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。所述方法将硅片或沉积有硅锗薄膜的硅片依次经过丙酮振荡清洗、酒精振荡清洗、Piranha溶液和RCA溶液处理；然后将质量百分比浓度范围为0.01％－0.9％的聚苯乙烯小球溶液用微量可调移液管滴到步骤1清洗干净的硅片或沉积有硅锗薄膜的硅片表面，置于空气中自然晾干；再将排好聚苯乙烯小球阵列的硅片或沉积有硅锗薄膜的硅片在90℃－110℃保温1－6min，用真空蒸镀仪往基底上沉积25－100nm厚的Ag膜；将沉积好Ag膜的样品浸入氢氟酸和硝酸铁腐蚀液中处理。由于本制备方法简单，不需要复杂设备就能制备出大面积有序排布的硅量子点阵列和硅锗量子点阵列，适宜于规模化工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、硅和硅锗量子点阵列的制备方法，其特征在于：所述方法依次按如下步骤进行：(1)硅片或沉积有硅锗薄膜的硅片依次经过丙酮振荡清洗、酒精振荡清洗、Piranha溶液和RCA溶液处理，表面显示良好的亲水性；(2)将质量百分比浓度范围为0.01％-0.9％的聚苯乙烯小球溶液用微量可调移液管滴到步骤1清洗干净的硅片或沉积有硅锗薄膜的硅片表面，置于空气中自然晾干；(3)蒸镀银之前，将排好聚苯乙烯小球阵列的硅片或沉积有硅锗薄膜的硅片在90℃-110℃保温1-6min，然后用真空蒸镀仪往基底上沉积25-100nm厚的Ag膜；(4)将沉积好Ag膜的样品浸入Fe(NO3)3+HF+H2O或H2O2+HF+H2O腐蚀液中处理10-600s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
