[发明专利]一种抑制具有垂直磁各向异性薄膜中锰扩散的方法无效
| 申请号： | 200510011392.2 | 申请日： | 2005-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1674147A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 于广华;滕蛟;翟中海;姜勇;王立锦 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11B5/127;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种抑制具有垂直磁各向异性薄膜中Mn扩散的方法，在FeMn或其他反铁磁Mn合金与Pt/Co多层膜之间插入Co的纳米氧化层或CoFe的纳米氧化层来阻止Mn的扩散。本发明的优点在于：因为采用纳米氧化层NOL插入(Pt/Co)n与FeMn或其它反铁磁Mn合金之间。Mn原子将与NOL中的Co的氧化物或Fe的氧化物反应形成MnO，从而使Mn原子陷在NOL中，阻止它的向(Pt/Co)n中的进一步扩散。这样就保证了多层膜具有良好的垂直磁各向异性及垂直交换耦合场。本发明具有制备方便、成本低、交换耦合场提高明显等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 具有 垂直 各向异性 薄膜 扩散 方法 | ||
【主权项】：
1、一种抑制具有垂直磁各向异性薄膜中Mn扩散的方法，其特征在于：在FeMn或其他反铁磁Mn合金与Pt/Co多层膜之间插入Co的纳米氧化层或CoFe的纳米氧化层来阻止Mn的扩散。
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