[发明专利]调整负载中晶体管跨导变化范围用的偏置补偿电路无效

专利信息
申请号: 200510011357.0 申请日: 2005-02-25
公开(公告)号: CN1655086A 公开(公告)日: 2005-08-17
发明(设计)人: 冒小建;杨华中;汪蕙 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G05F3/24 分类号: G05F3/24;G05F3/26;H03B5/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 调整负载中晶体管跨导变化范围用的电流镜属于CMOS集成电路中负载晶体管的跨导调整技术领域,其特征在于:再用作电流偏置的电流镜中,在它的偏置电流源输出端对地并联一个NMOS晶体管,该NMOS晶体管的栅极与一个电阻分压支路的中点相连接,所述的NMOS管和所述的电阻分压支路共同构成了一个偏置补偿电路。在LC振荡器中使用了本发明所述的电流补偿电路后,比没有补偿的NMOS管跨导的方差降低了41.4%。
搜索关键词: 调整 负载 晶体管 变化 范围 偏置 补偿 电路
【主权项】:
1.调整负载晶体管跨导用的偏置补偿电路,含有一个用作电流偏置的电流镜,其特征在于,它包含有:用作电流偏置的电流镜,包含:电流源;第一NMOS管,用MN2表示,它的漏极、栅极都与所述电流源的输出端相连;第二NMOS管,用MN3表示,它的栅极和上述MN2管的栅极相连,它的源极和上述MN2管的源极共地;负载中的晶体管,用MN4表示,它的源极和上述MN3管的漏极相连,它的漏极接电源;电流补偿电路,包含:电阻分压支路,有两个电阻串连而成,一端接电源另一端接地;第三NMOS管,它的栅极和上述电阻分压支路的中点相连,它的漏极接上述电流源的输出端,它的源极接地。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510011357.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top