[发明专利]调整负载中晶体管跨导变化范围用的偏置补偿电路无效
申请号: | 200510011357.0 | 申请日: | 2005-02-25 |
公开(公告)号: | CN1655086A | 公开(公告)日: | 2005-08-17 |
发明(设计)人: | 冒小建;杨华中;汪蕙 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G05F3/24 | 分类号: | G05F3/24;G05F3/26;H03B5/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 调整负载中晶体管跨导变化范围用的电流镜属于CMOS集成电路中负载晶体管的跨导调整技术领域,其特征在于:再用作电流偏置的电流镜中,在它的偏置电流源输出端对地并联一个NMOS晶体管,该NMOS晶体管的栅极与一个电阻分压支路的中点相连接,所述的NMOS管和所述的电阻分压支路共同构成了一个偏置补偿电路。在LC振荡器中使用了本发明所述的电流补偿电路后,比没有补偿的NMOS管跨导的方差降低了41.4%。 | ||
搜索关键词: | 调整 负载 晶体管 变化 范围 偏置 补偿 电路 | ||
【主权项】:
1.调整负载晶体管跨导用的偏置补偿电路,含有一个用作电流偏置的电流镜,其特征在于,它包含有:用作电流偏置的电流镜,包含:电流源;第一NMOS管,用MN2表示,它的漏极、栅极都与所述电流源的输出端相连;第二NMOS管,用MN3表示,它的栅极和上述MN2管的栅极相连,它的源极和上述MN2管的源极共地;负载中的晶体管,用MN4表示,它的源极和上述MN3管的漏极相连,它的漏极接电源;电流补偿电路,包含:电阻分压支路,有两个电阻串连而成,一端接电源另一端接地;第三NMOS管,它的栅极和上述电阻分压支路的中点相连,它的漏极接上述电流源的输出端,它的源极接地。
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