[发明专利]光器件制造方法有效
| 申请号： | 200510004491.8 | 申请日： | 2002-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1661772A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | 桥元伸晃 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/52;H01L27/14;H01L31/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光器件的制造方法，包括：(a)步骤：准备加工物，该加工物具有：第一衬底，其包括多个光元件，该多个光元件分别具有光学部分和形成在所述光学部分外测的电极；光透射性的粘接层，其按照覆盖所述光学部分和邻接的所述光元件的所述光学部分之间那样形成在所述第一衬底上；及多个透明衬底，其分别被配置在所述粘接层上，避开所述电极的上方并位于所述光学部分的上方，(b)步骤：在所述(a)步骤之后，除去邻接的所述光元件的所述光学部分之间的所述粘接层部分，(c)步骤：将所述第一衬底切断为各个所述光元件。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光器件的制造方法，其特征在于，包括：(a)步骤：准备加工物，该加工物具有：第一衬底，其包括多个光元件，该多个光元件分别具有光学部分和形成在所述光学部分外测的电极；光透射性的粘接层，其按照覆盖所述光学部分和邻接的所述光元件的所述光学部分之间那样形成在所述第一衬底上；及多个透明衬底，其分别被配置在所述粘接层上，避开所述电极的上方并位于所述光学部分的上方，(b)步骤：在所述(a)步骤之后，除去邻接的所述光元件的所述光学部分之间的所述粘接层部分，(c)步骤：将所述第一衬底切断为各个所述光元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
